精工技研确立碳化硅晶圆研磨量产技术

作者:鸭脖发布时间:2022-02-28 01:39

本文摘要:精工技研奠定了需要高速、高精度研磨加工倍受注目的新一代半导体底板材料——碳化硅(SiC)晶圆的技术。目前早已开始面向研究机构及元件厂商研发部门供应样品。该技术使用了产业技术综合研究所(产总研)公开发表的技术。 其特点是使用了不向碳化硅结晶产生多余压力的研磨加工,需要减少加工变形并提升晶圆面精度。表面光洁度为0.1nm,超过了外延膜生长所需的Ra值(0.3nm)以下;而且需要通过延长研磨时间提升量产效率,未来将会沦为倍受期望的新一代半导体底板——碳化硅晶圆的实用化技术。

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精工技研奠定了需要高速、高精度研磨加工倍受注目的新一代半导体底板材料——碳化硅(SiC)晶圆的技术。目前早已开始面向研究机构及元件厂商研发部门供应样品。该技术使用了产业技术综合研究所(产总研)公开发表的技术。

其特点是使用了不向碳化硅结晶产生多余压力的研磨加工,需要减少加工变形并提升晶圆面精度。表面光洁度为0.1nm,超过了外延膜生长所需的Ra值(0.3nm)以下;而且需要通过延长研磨时间提升量产效率,未来将会沦为倍受期望的新一代半导体底板——碳化硅晶圆的实用化技术。

除碳化硅外,还可用作加工市场正在较慢不断扩大的白色LED底板材料蓝宝石、氮化镓(GaN)、氧化锌(ZnO)结晶等。样品供应月底2007年7月开始,今后,该公司预计在自己的工厂(千叶县松户市)内完备小批量生产体制,构筑量产体制。碳化硅与目前半导体底板材料的主流——硅(Si)比起,具备耐高电压、耐高温、电力损失小的优点,未来将会应用于发电及电缆等电力设备、通信系统和工厂的电源装置、电车和汽车的驱动装置等必须掌控低电压低电流的装置。但是,由于碳化硅硬度较高,无法展开研磨加工,其量产技术过去仍然是大问题。


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